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SUNX小型激光傳感器說明書 67%(透過型)、58%(反射型)。并充分利用激光*的異方向性和視覺 辨認(rèn)性,以同類產(chǎn)品中*Z透過型 EX-L211Z小檢測(cè)物體φ(典型示例)。 φ0的受光狹縫能夠攔截多余的光線。僅對(duì)狹縫內(nèi)的光線有效,因此 可進(jìn)行有效、高精度的檢測(cè)。Z適用于微小物體的檢測(cè)和微小高度差異的檢測(cè)。 另外,通過采用的非球面
SUNX神視小型激光傳感器安裝手冊(cè) 用環(huán)境溫度 -10?+55℃(但應(yīng)無凝露及結(jié)冰)、存儲(chǔ)時(shí):-30?+70℃ 使用環(huán)境濕度 35?85%RH、存儲(chǔ)時(shí):35:35?85%RH 使用環(huán)境照明度 白熾燈:受光面照明度3,000?x以下 耐電壓 AC1,000V 1分鐘 所有充電部與外殼之間 緣電阻 所有充電部與外殼之間,20MΩ以上,基于DC250V的高阻表
SUNX數(shù)字光纖傳感器技術(shù)簡(jiǎn)介 電壓:2V以下(注3)(Z大流入電流的條件下) PNP開路集電極晶體管 ?Z大源電流:100mA(雙輸出型?模擬輸出型為50mA)(注2) ?外加電壓:30V DC以下(輸出和+V之間) ?剩余電壓:2V以下(注3)(Z大源電流的 ?。娫措妷?4V時(shí),消耗電流28mA以下,電纜型的監(jiān)控電流輸出除外) 通常時(shí):960m
SUNX光纖傳感器參數(shù)分析 下電工SUNX著眼于光纖傳感器的機(jī)體差,以數(shù)字化數(shù)值更接近值為目標(biāo)。 FX-500 Ver.2系列通過與光纖間的組合,將入光量的機(jī)體差減少了以往的1/4。 可使數(shù)字化數(shù)值更接近時(shí):960mW以下 (電源電壓24V時(shí),消耗電流40mA以下,電纜型的監(jiān)控電流輸出 1,127 5,082 1,19
SUNX數(shù)字激光傳感器型號(hào)構(gòu)成 ,請(qǐng)選擇留有充足余量的基準(zhǔn)值。 保護(hù)構(gòu)造子與外殼之 使用環(huán)境照明度同軸型回歸反射型在近距離檢測(cè)理論上的鏡面體或光 線容易擴(kuò)散的物體時(shí),可能會(huì)因發(fā)生偏光的光線不穩(wěn)定而導(dǎo)致無法檢測(cè)。 利用放大器的受光靈敏度功能降低受光靈敏度值。 使檢測(cè)頭遠(yuǎn)離檢測(cè)物體。
SUNX傳感器安裝方式 60℃雙振幅0.75mm X,Y和Z方向各2小時(shí) 耐沖擊 加速度500m/s2(約50G) 使用環(huán)境濕度 35~85%RH,存儲(chǔ)時(shí):35~85%RH 使用環(huán)境照明度 白熾燈:受光面照明度3,000lx以下 耐電壓 AC1,000V 1分鐘 所有 ?外加電壓:30V DC以下(輸出和+V之間) ?剩余電壓:2V以下(源電流為
SUNX傳感器選型資料 ±0.2%F.S. ±0.2%F.S.(測(cè)量距離有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射,測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響 從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。 ? 漏電流:0.1mA以下 紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS ±0.3%F.S.電壓:30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規(guī)定
SUNX傳感器主要特點(diǎn) 10?+55℃(但應(yīng)無凝紅色半導(dǎo)體激光 1(JIS/IEC/FDA)(注5) ?。踆大輸出:EX-L211/212□ 390μW、EX-L291□ 0.5mW、EX-L221□ 2mW、發(fā)光峰 值波長(zhǎng)655nm] 材質(zhì) 外殼:PBT、前面窗口:丙烯基、透
SUNX安全光幕使用須知 計(jì)未測(cè)定條件,使用溫度范未測(cè)定條件,使用溫度范圍=+20℃。PFHD的每小時(shí)危險(xiǎn)方故障 率作為MTTFd的平均危險(xiǎn)方故障率。裝置的1光軸的到Z后一個(gè)光軸的的距離。 寬度(防護(hù)高度)(注2) 150mm 230mm 310mm 390m斷機(jī)時(shí)
SUNX數(shù)字光纖傳感器結(jié)構(gòu)分析 監(jiān)控電流輸出除外) ?。娫措妷?4V時(shí),消耗電流28mA以下,電纜型的監(jiān)控電流輸出除外) 通常時(shí):960mW以下 ?。娫措妷?4V時(shí),消耗電流40mA以下) ECO模式時(shí):680mW以下出模擬輸出型為50mA)(注2)?Z大流的條件下) PNP開路集電極晶體管點(diǎn):4mA±1%F.S.以內(nèi)、 ?外加電壓:3